Dienstleistungsangebot
- Anwendungsberatung und Entwurfsunterstützung zu neuartigen Halbleiterbauelementen in Kommunikations- und Sensortechnik
- Charakterisierung elektronischer Bauelemente bis 50 GHz und anwendungsspezifische Messplatzkonzeption
- Mikrostrukturprozesstechnik: Forschung, Entwicklung, Anwendung
- Halbleiter-Materialmesstechnik
- Praktische und theoretische Schulungen
Schwerpunktthemen
- Charakterisierung elektronischer Bauelemente
- Charakterisierung des Gleichspannungsverhaltens
- I-U- und C-U-Messungen im Hochtemperaturbereich bis 600 °C
- Charakterisierung des Kleinsignal-Hochfrequenzverhaltens auf dem Wafer von 0,045-50 GHz, mit Variation der Substrattemperatur
- Charakterisierung des Hochfrequenz-Rauschverhaltens auf dem Wafer von 1-26 GHz, mit Variation der Substrattemperatur
- Charakterisierung des Niederfrequenzrauschens auf dem Wafer von 1Hz-1MHz (geschirmter Messraum)
- Charakterisierung von nichtlinearen Bauelementen auf dem Wafer im Zeitbereich bis 50 GHs Bandbreite
- Entwurfsunterstützung
- Bauelementphysikalisch orientierte Interpretation der Daten, Groß- und Kleinsignal-Parameterextraktion, Bauelementsimulation
- Komponentenauswahl für Systeme der Mobilkommunikation, Mikrowellensensorik und Optoelektronik
- Entwurf integrierter Mikrowellenschaltungen (MMICs) auf Silizium und III-V-Halbleitern
- Konzeption von Messplätzen der Mikrowellentechnik und Optoelektronik, auf spezifische Aufgaben zugeschnitten
- Halbleiter-Materialmesstechnik
- Photolumineszenz
- Magnetfeldabhängige Hallmessungen
- Mikrostrukturprozesstechnik
- Mikro- und Nanolithographie durch Elektronenstrahl- und Deep-UV-Belichtung in Mehrlagen-Resistsystemen, Herstellung elektronenstrahlgeschriebener Masken
- Dünnschichtdeposition durch Elektronenstrahlverdampfung, Sputtern, Ionenstrahlzerstäubung und Galvanik
- Strukurierung durch Abhebetechnik, Nass- und Trockenätztechnik
- Herstellung optischer Masken mit 0,5 *m Auflösung
Projektbeispiele
- Konzeption eines breitbandigen Empfängers für LIDAR-Systeme
- Verstärker mit 20 GHz Bandbreite aus Si/SiGe Bipolartransistoren
- Fehlerkorrigierte Zeitbereichsmesstechnik auf dem Wafer
- Feinstrukturierung bis zu Geometrien unter 0,1 *m
- GaAs-Feldeffekttransistoren für Leistungsanwendungen
- Strukturierung von Halbleiterbauelementen aus (Ga, A1) As, (In, Ga), (As, P) und (In, A1) As
- Diamant als Halbleitermaterial bei hohen Temperaturen
- Laborpraktikum "III-V Halbleitertechnologie"
- Laborpraktikum "Elektronische Messtechnik"
- Schulungsmaßnahmen zu Halbleitertechnologie, -komponenten und Mikrowellenschaltungstechnik
- Internationale Workshops und Seminare
http://www.stw.de/su/284
Rechtliche Hinweise zu diesem Unternehmens-Profil:
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Registergericht Stuttgart HRA 12 480 | Komplementär: Steinbeis Verwaltungs-GmbH (Registergericht Stuttgart HRB 18 715) | Ein Unternehmen im Steinbeis-Verbund
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